Дистриб'ютор Global Power Technologies Group | Дистриб'ютор електронних компонентів Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group: - Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), заснована в 2007 році, є інтегрованою розробкою та виробничою компанією, що спеціалізується на продуктах на основі кремній карбіду (SiC). Ці продукти будуть основними для енергетичної електроніки та енергетичної промисловості в майбутньому, коли необхідні передові технології для дешевої, високоефективної генерації, конверсії та передачі електроенергії.

Форма запиту >

Супутні товари

: GSXD060A004S1-D3; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227; В наявності: 10764 pcs; Завантажити: GSXD060A004S1-D3.pdf; RFQ

: GP1M008A050CG; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK; В наявності: 5909 pcs; Завантажити: GP1M008A050CG.pdf; RFQ

: FST12040; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE MODULE 40V 120A TO249AB; В наявності: 2035 pcs; Завантажити: FST12040.pdf; RFQ

: GSXF060A040S1-D3; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: DIODE FAST REC 400V 60A SOT227; В наявності: 9412 pcs; Завантажити: GSXF060A040S1-D3.pdf; RFQ

: 1N2133A; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP 300V 60A DO5; В наявності: 13732 pcs; Завантажити: 1N2133A.pdf; RFQ

: GP2M005A050CG; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK; В наявності: 4547 pcs; Завантажити: GP2M005A050CG.pdf; RFQ

: GP2D006A060C; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2; В наявності: 37794 pcs; Завантажити: GP2D006A060C.pdf; RFQ

: GHXS020A060S-D3; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227; В наявності: 3992 pcs; Завантажити: GHXS020A060S-D3.pdf; RFQ

: S6K; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP 800V 6A DO4; В наявності: 22836 pcs; Завантажити: S6K.pdf; RFQ

: GP2D010A120U; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247; В наявності: 21720 pcs; Завантажити: GP2D010A120U.pdf; RFQ

: GP2M008A060PGH; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK; В наявності: 5108 pcs; Завантажити: GP2M008A060PGH.pdf; RFQ

: GSXD060A010S1-D3; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227; В наявності: 9777 pcs; Завантажити: GSXD060A010S1-D3.pdf; RFQ

: GHXS020A060S-D4; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227; В наявності: 2602 pcs; Завантажити: GHXS020A060S-D4.pdf; RFQ

: GHIS060A060S-A2; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: IGBT BUCK CHOP 600V 120A SOT227; В наявності: 2776 pcs; Завантажити: GHIS060A060S-A2.pdf; RFQ

: FR16K05; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP 800V 16A DO4; В наявності: 19039 pcs; Завантажити: FR16K05.pdf; RFQ

: GP1M009A060H; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: MOSFET N-CH 600V 9A TO220; В наявності: 5781 pcs; Завантажити: GP1M009A060H.pdf; RFQ

: GP2M008A060FG; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F; В наявності: 5947 pcs; Завантажити: GP2M008A060FG.pdf; RFQ

: GCMS040A120B1H1; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1; В наявності: 264 pcs; Завантажити: GCMS040A120B1H1.pdf; RFQ

: MBRT200150; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER; В наявності: 2407 pcs; Завантажити: MBRT200150.pdf; RFQ

: S6Q; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4; В наявності: 16528 pcs; Завантажити: S6Q.pdf; RFQ

: 1N2135A; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP 400V 60A DO5; В наявності: 13918 pcs; Завантажити: 1N2135A.pdf; RFQ

: MUR2560R; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4; В наявності: 13281 pcs; Завантажити: MUR2560R.pdf; RFQ

: FST16060; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE MODULE 60V 160A TO249AB; В наявності: 2163 pcs; Завантажити: FST16060.pdf; RFQ

: GP1M003A040PG; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK; В наявності: 4996 pcs; Завантажити: GP1M003A040PG.pdf; RFQ

: 1N3880; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP 100V 6A DO4; В наявності: 20231 pcs; Завантажити: 1N3880.pdf; RFQ

: GPA020A135MN-FD; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN; В наявності: 30452 pcs; Завантажити: GPA020A135MN-FD.pdf; RFQ

: GP1M018A020HG; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: MOSFET N-CH 200V 18A TO220; В наявності: 64898 pcs; Завантажити: GP1M018A020HG.pdf; RFQ

: GHIS030A060B1P2; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES; В наявності: 1860 pcs; Завантажити: GHIS030A060B1P2.pdf; RFQ

: S25Q; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO203AA; В наявності: 17349 pcs; Завантажити: S25Q.pdf; RFQ

: GSXF060A060S1-D3; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: DIODE FAST REC 600V 60A SOT22; В наявності: 6561 pcs; Завантажити: GSXF060A060S1-D3.pdf; RFQ

: 1N3765R; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP REV 700V 35A DO5; В наявності: 11880 pcs; Завантажити: 1N3765R.pdf; RFQ

: GP2M002A065FG; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F; В наявності: 5168 pcs; Завантажити: GP2M002A065FG.pdf; RFQ

: S12MR; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4; В наявності: 24846 pcs; Завантажити: S12MR.pdf; RFQ

: 1N1187R; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5; В наявності: 13638 pcs; Завантажити: 1N1187R.pdf; RFQ

: 1N1204A; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4; В наявності: 33303 pcs; Завантажити: 1N1204A.pdf; RFQ

: 1N3671AR; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4; В наявності: 18869 pcs; Завантажити: 1N3671AR.pdf; RFQ

: GHIS100A120T2P2; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES; В наявності: 463 pcs; Завантажити: GHIS100A120T2P2.pdf; RFQ

: FR16JR02; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4; В наявності: 16812 pcs; Завантажити: FR16JR02.pdf; RFQ

: 1N3880R; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4; В наявності: 20912 pcs; Завантажити: 1N3880R.pdf; RFQ

: GDP48Y060B; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3; В наявності: 5881 pcs; Завантажити: GDP48Y060B.pdf; RFQ

: S12KR; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4; В наявності: 24366 pcs; Завантажити: S12KR.pdf; RFQ

: GP2M004A065FG; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F; В наявності: 5070 pcs; Завантажити: GP2M004A065FG.pdf; RFQ

: GP2D015A120A; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO220-2; В наявності: 8823 pcs; Завантажити: GP2D015A120A.pdf; RFQ

: GP2M005A060CG; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK; В наявності: 4757 pcs; Завантажити: GP2M005A060CG.pdf; RFQ

: FR30B02; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP 100V 30A DO5; В наявності: 12592 pcs; Завантажити: FR30B02.pdf; RFQ

: FR12KR05; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4; В наявності: 19910 pcs; Завантажити: FR12KR05.pdf; RFQ

: GKR26/16; Виробники: GeneSiC Semiconductor; Опис: DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4; В наявності: 17651 pcs; Завантажити: GKR26/16.pdf; RFQ

: GSID600A120S4B1; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: SILICON IGBT MODULES; В наявності: 529 pcs; Завантажити: GSID600A120S4B1.pdf; RFQ

: GP1M004A090H; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: MOSFET N-CH 900V 4A TO220; В наявності: 5199 pcs; Завантажити: GP1M004A090H.pdf; RFQ

: GSXF060A020S1-D3; Виробники: Global Power Technologies Group; Опис: DIODE FAST REC 200V 60A SOT227; В наявності: 6601 pcs; Завантажити: GSXF060A020S1-D3.pdf; RFQ

Виберіть країну або регіон.

категорія продукту

Схожі новини

Супутні товари